Êîëè÷åñòâî
è ñóììà òîâàðîâ
â êîðçèíå

ÊÀÒÀËÎÃ

 

SWBM-10 ÂÛÊËÞ×ÀÒÅËÜ ÁÎÐÒÎÂÎÉ ÌÀÃÍÈÒÍÛÉ 10À
SWBM-10 ÂÛÊËÞ×ÀÒÅËÜ ÁÎÐÒÎÂÎÉ ÌÀÃÍÈÒÍÛÉ 10À
SWBM-10 ÂÛÊËÞ×ÀÒÅËÜ ÁÎÐÒÎÂÎÉ ÌÀÃÍÈÒÍÛÉ 10À

Öåíà: 310.0
 
â íàëè÷èè
Àðòèêóë: 040050



 



ÒÅÕÍÈ×ÅÑÊÈÅ  ÕÀÐÀÊÒÅÐÈÑÒÈÊÈ

Ðàçìåðû  -  29 õ 14 õ 9 ìì
Ìàññà  -  8,5 ã
Êîììóòèðóåìîå íàïðÿæåíèå  -  4 ... 12 B
Ðàáî÷èé / êðàòêîâðåìåííûé òîê  -  10 / 20 À


 

ÊÐÀÒÊÎÅ ÎÏÈÑÀÍÈÅ


Âûêëþ÷àòåëü SWBM-10 ïðåäíàçíà÷åí äëÿ ïîäêëþ÷åíèÿ àêêóìóëÿòîðà (2-3 LiPo, 4-10 NiXX, Pb 12V) ê áîðòîâûì óñòðîéñòâàì (ïðèåìíèêó, ñåðâîìåõàíèçìàì).

Óñòðîéñòâî íå ñîäåðæèò ñèëîâûõ ìåõàíè÷åñêèõ êîíòàêòîâ. Êîììóòàöèÿ íàãðóçêè îñóùåñòâëÿåòñÿ ñèëîâûì êëþ÷îì, óïðàâëÿåìûì äàò÷èêîì ìàãíèòíîãî ïîëÿ (Õîëëà). Âêëþ÷åíèå îñóùåñòâëÿåòñÿ ïóòåì èçâëå÷åíèÿ ìàãíèòíîãî êëþ÷à èç ãíåçäà âûêëþ÷àòåëÿ, âûêëþ÷åíèå - óñòàíîâêîé ìàãíèòíîãî êëþ÷à â ãíåçäî âûêëþ÷àòåëÿ.

Èìååòñÿ èíäèêàöèÿ âêëþ÷åííîãî ñîñòîÿíèÿ.



 

ÏÎÄÐÎÁÍÎÅ  ÎÏÈÑÀÍÈÅ


Âûêëþ÷àòåëü áîðòîâîé ìàãíèòíûé ïðåäíàçíà÷åí äëÿ çàìåíû òðàäèöèîííûõ äâèæêîâûõ áîðòîâûõ âûêëþ÷àòåëåé.

Âêëþ÷åíèå îñóùåñòâëÿåòñÿ ïóòåì èçâëå÷åíèÿ ìàãíèòíîãî êëþ÷à çà ïåòëþ èç ãíåçäà âûêëþ÷àòåëÿ, âûêëþ÷åíèå - óñòàíîâêîé ìàãíèòíîãî êëþ÷à â ãíåçäî âûêëþ÷àòåëÿ.

Ôóíêöèþ ìåõàíè÷åñêèõ êîíòàêòîâ â äàííîì óñòðîéñòâå âûïîëíÿåò äàò÷èê Õîëëà, óïðàâëÿåìûé âíåøíèì ìàãíèòíûì ïîëåì, è ìîùíûé MOSFET-òðàíçèñòîð.

Âåëè÷èíà ïîñòîÿííîãî òîêà ìîæåò ñîñòàâëÿòü äî 10 À, èìïóëüñíîãî - äî 60 À. Êîììóòèðóåìîå íàïðÿæåíèå - 4,8..7,4 Â. Ðàçúåìû âûêëþ÷àòåëÿ ñîîòâåòñòâóþò ñòàíäàðòó JR / HITEC.

Âî èçáåæàíèå ïîòåðè ìàãíèòíîãî êëþ÷à ðåêîìåíäóåòñÿ ê åãî ïåòëå ïðèêðåïèòü ÿðêóþ ëåíòó.



ÂÍÈÌÀÍÈÅ !

Ïîñëå îêîí÷àíèÿ çàïóñêîâ ìîäåëè âûêëþ÷àòåëü ñëåäóåò îòêëþ÷èòü îò áàòàðåè, ïîñêîëüêó ïîòðåáëÿåìûé âûêëþ÷àòåëåì òîê (äî 7 ìÀ) ìîæåò ïðèâåñòè ê ãëóáîêîìó ðàçðÿäó àêêóìóëÿòîðà.